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标题: 有何办法解决并联MOS管的损耗差异？ [打印本页]

作者: bjhuangtao 时间: 2005-8-3 14:54
标题: 有何办法解决并联MOS管的损耗差异？
问题探讨：在MOS管并联输出大电流情况下，虽由同一端驱动，仍会造成负载不均而导致管子过大的温升差异。通过加均流电阻不解决问题，显然是管子开关时间差异导致的开关损耗不同所至。有何办法可平抑此差异？

作者: toluoxin 时间: 2005-8-3 19:07
标题: 有何办法解决并联MOS管的损耗差异？
ＭＯＳＦＥＴ元件的一致性要好．在外部尽量减少分布参数的影响．每个栅级单独连接驱动电阻．

作者: hakutaka 时间: 2005-8-3 19:18
标题: 有何办法解决并联MOS管的损耗差异？
最好能单独为每个管子弄一个驱动电路，因为到通电阻低的mos管输入电容也大而且经常离散性也大。对于特大电流驱动场合（50安培以上）最好考虑使用位相制御，而不要单纯并联，否则均流电阻的功耗都很可观了。

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