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标题: 关于电动车控制器炸MOSFET的的问题 [打印本页]

作者: risen 时间: 2012-2-18 15:04
标题: 关于电动车控制器炸MOSFET的的问题
本帖最后由 risen 于 2012-2-19 13:42 编辑

各位都知道电动车控制器的问题在炸MOSFET的，不管你电流控制再怎么好，死区时间再怎么多，还是有相档一部份的控制器出现这种情况，比例并不低，至于有的公司宣称千分之几，那都是不可能的，特别是大于48V的控制器更盛，究其原因问题还是在驱动电路上，不管你用分列元件也好，用IR2103类的也好都逃不出这一问题..............现在总算是解决了...

作者: shoucun 时间: 2012-2-19 14:46
既然您已经解决了这个困惑很多人的技术难题，为何不说出来让大家也分享一下呢？！大家好才是真的好！

作者: 常州 时间: 2012-2-21 19:19
是啊! 好多人期待只呢

作者: 乐在其中 时间: 2012-3-5 22:28
独乐不如同乐。楼主还是吧你的独乐拿出来和大家分享同乐吧.

作者: bg4wby 时间: 2012-4-12 11:37
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作者: bg4wby 时间: 2012-4-12 11:39
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作者: 乐在其中 时间: 2012-4-13 23:07
可能楼主下乡了吧，那里没有电脑怎能上网回复。

作者: risen 时间: 2012-4-14 15:12

楼主的意思你比川办还牛？
bg4wby 发表于 2012-4-12 11:37

什么川办？川办就厉害了吗？那他们怎么不改进呢

作者: risen 时间: 2012-4-14 15:15
本帖最后由 risen 于 2012-4-15 19:20 编辑

我的方法可能不适合大家，因为电路变得有些复杂，增加了几毛成本，但有个好处是，MOSFET烧了也不会损坏驱动

作者: yujingli 时间: 2012-4-14 19:10
可以卖给做控制器的

作者: gaoxe 时间: 2012-4-15 19:41
本帖最后由 gaoxe 于 2012-4-15 19:58 编辑

驱动能量要满足？内阻要低（毫欧）？感性源？

作者: bg4wby 时间: 2012-4-16 09:53
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作者: risen 时间: 2012-4-16 14:24
本帖最后由 risen 于 2012-4-16 14:29 编辑

驱动能量要满足？内阻要低（毫欧）？感性源？
gaoxe 发表于 2012-4-15 19:41

非感性源

作者: 四川办事处 时间: 2012-4-16 23:49

楼主的意思你比川办还牛？
bg4wby 发表于 2012-4-12 11:37

你这等于是把川办推上去挨揍嘛

作者: yujingli 时间: 2012-4-17 06:28

作者: risen 时间: 2012-4-17 08:31
本帖最后由 risen 于 2012-4-17 08:43 编辑

你这等于是把川办推上去挨揍嘛
四川办事处发表于 2012-4-16 23:49

川办?你四川办事处?

那就共同探讨研发吧

作者: 四川办事处 时间: 2012-4-17 12:16

川办?你四川办事处?那就共同探讨研发吧
risen 发表于 2012-4-17 08:31

别在意网友们说的，他们都是没恶意地把川办向上推，如果你和大家熟悉了，大家也会一样支持你的。
控制器设计不能独立去看驱动电路，一定要与不同方案、不同的线路布局、不同散热方式、特性不同的MOS管和各种不同应用目标一起来设计。

作者: yujingli 时间: 2012-4-17 14:49
川办越来越稳重老练了

作者: risen 时间: 2012-4-17 16:03
本帖最后由 risen 于 2012-4-17 16:28 编辑

别在意网友们说的，他们都是没恶意地把川办向上推，如果你和大家熟悉了，大家也会一样支持你的。
控制器设计不能独立去看驱动电路，一定要与不同方案、不同的线路布局、不同散热方式、特性不同的MOS管和各种不同应 ...
四川办事处发表于 2012-4-17 12:16

兄台说的是，不过控制器的电流控制现在不是什么问题，一般烧机除了发热以外，不外乎都是MOSFET上下桥直通，而上下桥直通的原因主要是布线的不合理和MOSFET的本身特点所产生的，这就要通过驱动电路的改进来克服，本人的改进是就是防止这类事故的产生。

作者: 四川办事处 时间: 2012-4-18 00:56
我是这样来看上下桥误直通的。
上下桥误通，尤其是下桥在上桥米勒电容充电时，上桥还没有通，漏极正电就会通过源极藕合到下桥门极，使下臂误通。这种误通是传统上下桥驱动电路的必然。我与一些设计者交流时，他们说，下臂误通了，就是短路，MOS管会立即坏掉。但我不同意他们说的，我认为，这种藕合不是偶然发生，也不是布线是否合理造成的，而是一个无论如何布线也会在每一次开关时都存在的必然。
但这种随时存在的藕合并不会必然破坏MOS管，这要看藕合出来门极电压有多少以及MOS管的门极开通电压是多少。
比如，藕合如果控制在5V以下，而MOS管的门极在5V时，DS内阻为无穷大，这样的藕合就不会造成损坏MOS管，但如果换一个门极在5V时已经有开通的MOS管，就肯定会损坏。

所以，解决问题的方法就很多了，一方面，我们可以减少藕合的电荷量，二方面，我们可以旁路吸收更多的藕合电荷，三方面，我们还可以找门极开通电压高的MOS管。

你应该是用的前两种，不过，你总是闪烁其词，可能你不愿说吧，我就不知道怎么讨论了。

作者: ckks 时间: 2012-7-15 21:31
用示波器仔细看过驱动的人事必都知道现在主流的驱动波形上有风险，加电容可以有效的压低但是并没有消除，解决办法简单不要改电路只需要把元件接法动一下就好了在加个贴片104，就好了。

作者: 那是我 时间: 2012-7-19 22:17
私聊了你们？刚吊起胃口

作者: 小佟 时间: 2012-7-27 21:40
这个贴要顶起来，

作者: rensheng 时间: 2012-9-12 20:17
怎么，楼主人呢？继续呀。

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