MOS管前面的电阻和电容的作用是什么？

haoyz · 发表于 2007-9-19 23:14:37

按理说，MOS管是有开关损耗的，应该减小导通和关闭的时间才对，驱动电路里MOS管的前面的电阻150和电容103的作用是什么呢？加上电阻电容不是延长了导通时间，进而增加导通损耗？如果是为了延时，完全可以通过软件实现啊？

大林子 · 发表于 2007-9-20 10:01:10

这个电阻和电容可是大有学问的！每个人的理解可能都不一样，用在不同的地方，不同的电路，不同的电流不同的功率不同的要求不同的电路类型，这两个东东的组合可以完全不一样。我也说不清，太多了。

回你的问题，MOS管不是开关得越快越好，太快会产生严重的干扰，所以要加电阻和电容让它慢慢开慢慢关，开关过程的损耗吸收了干扰，用效率换可靠。导通损耗不会增加，增加的是开关损耗。这个延时不是软件延时能代替的。

小佟 · 发表于 2007-9-20 14:24:43

大林子前辈能否具体讲一下干扰的具体表现形式。

haoyz · 发表于 2007-9-20 15:10:32

1）从驱动电路看，在导通时是慢慢的，因为是阻容滤波，但是截止时却是快速截止的，因为电阻150没起作用，直接把103和MOS的结电容放掉。
2）这个电阻电容的取值原则是什么呢？同样的延迟时间可以有无数的电阻电容组合方式啊

大林子 · 发表于 2007-9-20 20:23:44

1，你没说有一只4148反并在150欧上，其实开通慢点的好，可以减少与它相连的二极管的反相恢复损耗。关断是快点的好，在干扰不是很大的情况下，越快损耗越小。
2，原则嘛，不好说，看情况，一般几十欧够了，要再慢可以上百欧，再并只电容。电容有时候并不是单控制上升速度的，还起到保护，防止MOS管G脚电压反转的作用。

干扰的具体表现形式，不好说，电路出现不应该出现的动作，又找不出原因时，就要考虑是不是干扰。

小佟 · 发表于 2007-9-21 09:19:22

我试过：不改变电容情况下，把150电阻减小，示波器测量C相（离康铜丝最远）相峰值电流比期他两项大，C相堵转时间偏短。
晶汇350W驱动电路上桥部分和500W不同，请大林子前辈讲解一下,叩谢了！

haoyz · 发表于 2007-9-27 22:00:38

呵呵，你说为什么峰值电流大呢？
我觉得导通的快，则相同PWM占空比的情况下，导通时间就长，当然峰值电流就大，对吧？

小佟 · 发表于 2007-9-29 12:21:12

不对，应该是相同PWM占空比的情况下，导通的越快，电流上升的就越高，也就是峰值电流越大。
问题是，为什么c相会比另外两项大呢？哈哈
那位高手来解释一下？？

haoyz · 发表于 2007-9-30 11:39:01

1.三相驱动电路相同，怎么会C相的相峰值电流比期他两项大？可能三个驱动电路的元件参数有差别吧？
2.堵转时间偏短？不明白是什么意思。堵转是在电机通电的情况下不转

阿峰哥 · 发表于 2007-10-2 00:58:42

绝大部分是56欧为什么你的是150欧?

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