合体E武功进阶之葵花宝典

四川办事处

既然是葵花宝典，那肯定免不了要动刀、要切掉某些东东了，当然也要小心，切错了可就……

先说一下为什么要练葵花宝典，控制器上电流跑来跑去，有三个相的上下共六路开关控制电流方向，川办不讲复杂了，这六路开关就是mos管，每路一个管子就是6管，每路两管就是12管，等等……mos管工作是要发热的，为把热量导出，mos管背上都背了导热铝条，以加强导散热量，为了设计与加工生产，传统控制器都只用一个大的铝条同时来解决导散热，也就是说六路mos管是上在同一个铝条上的，而mos管的背面是有电的，于是在mos管与铝条之间就有一层绝缘薄膜，然后用镙丝穿过一颗绝缘粒子来将管子固定在铝条上，六路管子相互之间就绝缘了。但那层膜很薄，绝缘粒子也很局限，很容易漏电，而且很容易产生感应偶合，这会使控处在不安全状态。市场上现有的设计方案中全解决这个问题的只有一家，叫凯利，呵呵，听说过吧。现在，川办就是讲怎么用葵花宝典中的挥刀自宫来让e的控制器部分变身为凯利。

有童鞋说川办你为什么不出厂时就挥刀呢？干嘛还要让我们自己麻烦呢？

川办说可以啊，你给出那家一半的价，川办就帮你切这刀啊。^ ^开玩笑的哈，e是屌丝的逆袭，怎么可以高价呢，主要是咱量不够，没法订制铝条，以后川办量大了，咱们就让外壳厂来做这些，现在，咱只能自已动手，这动一下，就大大滴增值了，增了多少？去访一下凯利多少钱就知道了。

合体e在设计的开始就考虑了这个问题，上下已经被分置设计，而上譬就已经没有那层膜了，也就是说，合体e距离全分置只有一步了，只需要取下下譬的铝条，撕掉绝缘膜，切成三段，扔掉绝缘粒子，装回去，哈哈，变身几大千的控了，能力还更强，咱们e粉碉堡。

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详细步骤

一、打开外壳，拉出内脏
拧掉出线端铁封板的4个镙钉，
拧掉另一端铁封板上面2个镙钉，
拧掉侧面3个镙钉，有的没有。
翘开上盖板，
把线抓在右手，向右拉出，拉的时候，审着用力，小心管脚拉断。

二、取下下譬散热铝条
内部有3根铝条，下譬就是中间有膜那根，这都要找错了，你只有挥刀自宫了。因为中间担了一个竖立的小板，镙丝刀是斜着用力，自已小心就是了。

三、撕掉那层膜

四、把铝条切成三段
注意，装回去时要让相互间有2mm间隔，所以，要磨下边子。

五、装回去
镙丝刀是斜着用力，小心别斜了丝口把镙丝拧断在里面了，那你就惨了。镙丝上套的白色的绝缘粒子就不要了哈，板子回壳时注意，两边要紧贴外壳哦，便于热量导出，别把板子上的直插元件脚压断了，手指只能推板子，别一把抓着线就往里压，会很容易把那个兰色电感脚挤断的。于版主给人改个60度就这样搞坏了电感的(感谢于版友情客串)。

如果手里有矽硅胶垫的，可以放在下譬铝条与上盖之间，大约厚8mm

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这只能在合体e上用，其它控和分体e不行哦，不然就真成自宫了。

合体当初最大的设计难度就在这个上下譬分置设计上，我知道有其它厂家说合体e下譬没把热量导出到外壳上，是不科学的，其实，他们跟本就不算真正搞设计的，凯利也没导出，这中间的门道是最高温与最高温度下电流能力的问题。

e的设计是在不导出热量下，最高温度不超160度(过了就化锡了)，且160度下，每支mos管仍可以过大于限流值的电流，所以，合体e用了内阻极低的管子，比如e56限流50安，而其用的管子在160度时过电流能力是60安。没比较，不好理解，好，来看一下其它96v控的管子，差的不说了，就看ir的4115吧，8元一颗，算是高端货了，160度时过电流能力只有20安。

合体e的控制器部分的设计理念，低电流大力矩，管子低内阻，不导热也正常工作，高温能力强大，可分置上下譬及三相，驱动平衡，低噪音，小体积大功率。

dhm321

有图就好了，光看文字，一头雾水~~

kenshin

这个只提高稳定性吗？还能提高那些方面啊 限流发热？

yujingli

四川办事处 发表于 2012-9-6 19:34
详细步骤

一、打开外壳，拉出内脏

倒数第二行你说错，那不是我改的，客户改的懂吗，我没有动过

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yujingli 发表于 2012-9-6 21:13
倒数第二行你说错，那不是我改的，客户改的懂吗，我没有动过

哈哈，他说是你改的

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下臂铝条

dhm321

拆了还有保不？

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手机上图太复杂