MOS管前面的电阻和电容的作用是什么？

power.wang

MOS 前的电阻太小会比较容易让noise串到MOS,结果严重的话会 使MOS时序乱调。
可以测MOS的VGS，严重的会抓到。
如果是集成N,P,可能导致同时导通，电流极大，mos烧死。

所以一般都有加几十到几百欧姆的电阻。
但是要注意的是这样减慢了导通速度后MOS温度会加大
所以要评估一下温度的

而电容就有吸收noise的作用。可是LAYOUT要注意，要尽量的离MOS近，越近越好。
同时与电阻组成震荡回路效果更好，电阻也是要离MOS越近越好的。

power.wang

MOS 前的电阻太小会比较容易让noise串到MOS,结果严重的话会 使MOS时序乱调。
可以测MOS的VGS，严重的会抓到。
如果是集成N,P,可能导致同时导通，电流极大，mos烧死。

所以一般都有加几十到几百欧姆的电阻。
但是要注意的是这样减慢了导通速度后MOS温度会加大
所以要评估一下温度的

而电容就有吸收noise的作用。可是LAYOUT要注意，要尽量的离MOS近，越近越好。
同时与电阻组成震荡回路效果更好，电阻也是要离MOS越近越好的。

小佟

多谢楼上指点！
还有一个问题请教：
三相驱动一样的参数，为什么C相（也就是离康铜丝最远的那相）电流干扰特变大（示波器上可以看出来）。
电阻加大一点后，干扰会小一点，但这样做温升又是问题。
怎样做才能权衡利弊？