关于电动车控制器炸MOSFET的的问题

gaoxe

驱动能量要满足？内阻要低（毫欧）？感性源？

risen

驱动能量要满足？内阻要低（毫欧）？感性源？
gaoxe 发表于 2012-4-15 19:41

非感性源

四川办事处

楼主的意思你比川办还牛？
bg4wby 发表于 2012-4-12 11:37

你这等于是把川办推上去挨揍嘛

yujingli

risen

你这等于是把川办推上去挨揍嘛
四川办事处 发表于 2012-4-16 23:49

川办?你四川办事处?那就共同探讨研发吧

四川办事处

川办?你四川办事处?那就共同探讨研发吧
risen 发表于 2012-4-17 08:31

别在意网友们说的，他们都是没恶意地把川办向上推，如果你和大家熟悉了，大家也会一样支持你的。
控制器设计不能独立去看驱动电路，一定要与不同方案、不同的线路布局、不同散热方式、特性不同的MOS管和各种不同应用目标一起来设计。

yujingli

川办越来越稳重老练了

risen

别在意网友们说的，他们都是没恶意地把川办向上推，如果你和大家熟悉了，大家也会一样支持你的。
控制器设计不能独立去看驱动电路，一定要与不同方案、不同的线路布局、不同散热方式、特性不同的MOS管和各种不同应 ...
四川办事处 发表于 2012-4-17 12:16

兄台说的是，不过控制器的电流控制现在不是什么问题，一般烧机除了发热以外，不外乎都是MOSFET上下桥直通，而上下桥直通的原因主要是布线的不合理和MOSFET的本身特点所产生的，这就要通过驱动电路的改进来克服，本人的改进是就是防止这类事故的产生。

四川办事处

我是这样来看上下桥误直通的。
上下桥误通，尤其是下桥在上桥米勒电容充电时，上桥还没有通，漏极正电就会通过源极藕合到下桥门极，使下臂误通。这种误通是传统上下桥驱动电路的必然。我与一些设计者交流时，他们说，下臂误通了，就是短路，MOS管会立即坏掉。但我不同意他们说的，我认为，这种藕合不是偶然发生，也不是布线是否合理造成的，而是一个无论如何布线也会在每一次开关时都存在的必然。
但这种随时存在的藕合并不会必然破坏MOS管，这要看藕合出来门极电压有多少以及MOS管的门极开通电压是多少。
比如，藕合如果控制在5V以下，而MOS管的门极在5V时，DS内阻为无穷大，这样的藕合就不会造成损坏MOS管，但如果换一个门极在5V时已经有开通的MOS管，就肯定会损坏。

所以，解决问题的方法就很多了，一方面，我们可以减少藕合的电荷量，二方面，我们可以旁路吸收更多的藕合电荷，三方面，我们还可以找门极开通电压高的MOS管。

你应该是用的前两种，不过，你总是闪烁其词，可能你不愿说吧，我就不知道怎么讨论了。