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楼主: ddczha
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懒洋洋和想深入了解充电器的请进

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31#
 楼主| 发表于 2012-5-27 21:18:18 | 只看该作者
就在本论坛精华区http://evcn.net/bbs/thread-38305-1-1.html,7楼。注意是第7楼
32#
发表于 2012-5-27 21:33:46 | 只看该作者
本帖最后由 zmg666666 于 2012-5-27 21:34 编辑

呵呵,那是本人在n年前发的帖子,网友转载后,丢失了作者姓名
原文有些错误,后来改正了。但是已经流传开了,正确的,错误的都在流传
33#
发表于 2012-5-27 23:16:33 | 只看该作者
都是精华。在学习中,下载下来仔细,认真的学习慢慢消化。
34#
发表于 2012-5-28 06:34:19 | 只看该作者
不错学习了,请问功率管漏极的接地电阻最小可以取多少。太小了是否容易炸鸡。
35#
发表于 2012-5-28 09:34:54 | 只看该作者
这个电流限制计算很复杂,关键看要让变压器工作在连续模式 还是断续模式,与高压侧变压器电感量,气隙大小,圈数多少,开关频率多高都有关系,尽量不要更换阻值,用示波器看MOS电流 如果有上翘(也就是电流在很短的时间内上升很多)那么就证明变压器饱和了,离炸机就不远了,(3842虽然是每周期都控制,但一但上翘,就超出3842的反应时间,MOS会因为过流烧坏。)
36#
发表于 2012-5-28 09:39:18 | 只看该作者
比如MOS导通时间为5微秒,磁芯饱和的话在前4.5微秒电流都是线性上升的,最后0.5 达到指数上升曲线。
37#
发表于 2012-5-28 18:48:39 | 只看该作者
力萌电器 发表于 2012-5-28 09:34
这个电流限制计算很复杂,关键看要让变压器工作在连续模式 还是断续模式,与高压侧变压器电感量,气隙大小, ...

多谢力萌兄指点,有机会找个示波器检测一下。说来见笑我以前都是带载做老化,一般老化7-10天只要功率管不坏一般就认为充电器无问题。
38#
发表于 2012-5-28 19:39:52 | 只看该作者
输出功率计算P=0.5*L*I*I*F L是变压器电感量,I是MOS峰值电流 F是工作频率,如果连续模式那么I=起始电流+峰值电流. 这计算得出的是充电器可输出的最大功率. 二次有358或324限制最大输出电流也就是最大输出功率,取样的是0.1欧电阻上的电压,同时通过光耦反馈到高压侧3842 1脚或2脚 区别在于1脚是输出恒流源 2脚是最大2.5V限制,这两个管脚同样控制的是3脚控制阀值.3脚控制最大1V 控制的好431与光耦的增益在一定范围内光耦输出是线性的(比如控制2脚 电压最高如果超过2.5以上控制将不起作用)这样的设计最好. 变压器的圈数比决定了MOS的反射电压高低,圈比太大MOS要承受的耐压就高.以输入310V计算 圈比2:1 输出60V 那么大致可得MOS耐压要在310+60*2=430V 还要加上尖峰 ,有时电网电压整流后能达到380V(AC260V以上) 在此范围再加安全余量选择MOS电压级别.  在不拆变压器的情况下测圈数应该都会吧.
39#
发表于 2012-5-28 19:46:39 | 只看该作者
关于二次开关二极管的吸收问题,吸收的好二极管发热小 吸收的不好二极管发热大,有人说 吸收电阻越小越好因为吸收电阻小发热就小,但是电阻发热小了二极管发热大了 ,这部分能量总要散发出去(且不提无损吸收充电器没人用这技术 成本限制)二极管发热不如让电阻发热,电阻烧红了都不会坏,普通二极管上到150度试试. 吸收计算与吸收电容电阻的时间常数有关,具体参照二极管尖峰波形展开后的频率.
40#
发表于 2012-5-28 20:07:03 | 只看该作者
借宝地凑个热闹 希望楼主不要见怪
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